炭化ホウ素と炭化ケイ素の特性比較。
性状 単位 SiC B4C
密度 g/cm3 3.21 2.51
融点 ℃ 2,760 2,450
ビッカース硬度 2,600 3,000
圧縮強さ MPa 2,200 2,800
ヤング率 GPa 410 450
破壊靱性 K IC MPam 1/2 3.2 3.0
電気抵抗率 ohm.m 10 3-104 10-103
熱膨張係数 10 -6 K -1 4.0 4.6
熱伝導率 Wm-1K-1 110 35
熱衝撃耐性 – 良好
使用温度 (空気中) °C Max 1、 600 500
出典: Product Development with SiC and B4C Ceramics、P Feinle、H Knoch、第 3 回欧州エンジニアリング セラミックス シンポジウム、編。FL ライリー、エルゼビア、1991 年